Micron Technology och dess taiwanesiska partner Nanya Technology utvecklar tillsammans en ny tillverkningsteknik för dram-minneskretsar som baseras på 20 nanometer.

De två företagen är kända för sin tillverkning av nand-kretsar för flashdiskar, men ger sig nu i kast med effektivare dram-kretsar, där en mindre storlek ger fördelar av lägre tillverkningskostnader och lägre strömförbrukning när kretsarna är i drift.

Nanyas vd Jih Lien uppger i samband med ett pressmöte i Taipei att satsningen är kritisk för att bibehålla framtida konkurrenskraft mot andra aktörer som till exempel Samsung.

Samsung håller för närvarande ledarposition inom dram-tillverkning och använder sig av 30 nanometers tillverkningsteknik, att jämföra med Micron och Nanyas 42 nanometer.

Närmast i tiden för massproduktion ligger dock en 30-någonting-nanometersteknik, som Micron och Nanya benämner ”3xnm”. Lie har inte uppgett något datum för när den 20-nanometers teknik man forskar på kan tänkas bli kommersiellt tillgänglig eller hur mycket effektivare kretsarna blir.

Samsung har i samband med övergången till 30 nanometer sagt att dess kretsar är 30 procent mer energisnåla än 50-nanometers motsvarigheter och att de bara kostar hälften så mycket att tillverka.