Processorer och andra kretsar i våra datorer är uppbyggda av transistorer, men med tiden har det blivit allt knepigare att krympa dessa på en platt yta. Ju tätare mellan delarna desto större problem har det blivit med läckande ström, något som i sin tur medfört högre värmeutveckling.

2002 presenterade Intel en ny transistorteknik kallad tri-gate, som i praktiken gör att transistorn också kan arbeta på höjden. Den tekniken kom väl till pass när Intel ville ta steget till 22 nanometer, eftersom existerande lösningar som high-k och metal gate inte längre räckte till för att hålla läckströmmen i schack.

Transistorer är antingen aktiva eller passiva, vilket innebär att elektriciteten antingen flödar eller inte flödar genom transistorn. En 3d-transistor av tri-gate-typ innebär kortfattat bättre kontroll över strömflödet, eftersom det kan stängas av från tre olika håll samtidigt. Genom att bygga de så kallade fenorna på höjden kan transistorerna dessutom packas ännu tätare än tidigare.


Så här ser Intels tri-gate 3d-transistor ut i verkligheten, minus den gröna färgen. Bild: Intel.

En kort instruktionsfilm beskriver tekniken lite närmare här nedanför.